Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Кожухов, А. С.

Статьи. Автор - Кожухов, А. С.

• Исследование процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO и создание наноструктур на их основе
  Астанкова, К. Н., Кожухов, А. С., Азаров, И. А. , Горохов, Е. Б., Щеглов, Д. В., Латышев, А. В.
  
  Исследование процесса локального анодного окисления тонких пленок GeO и создание наноструктур на их основе, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 4. - С. 696-700 .- Астанкова_исследование
• Обратимая электрохимическая модификация поверхности полупроводников зондом атомно-силового микроскопа
  Кожухов, А. С., Щеглов, Д. В., Латышев, А. В.
  
  Обратимая электрохимическая модификация поверхности полупроводников зондом атомно-силового микроскопа , [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 4. - С. 443-445 .- Кожухов_обратимая
• Индиевые нанопроволоки на поверхности кремния
  Кожухов, А. С., Щеглов, Д. В., Латышев, A. В.
  
  Индиевые нанопроволоки на поверхности кремния, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 7. - С. 918-920 Кожухов_индиевые
• Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных g-AlN и g-Si[3]N[3]
  Милахин, Д. С., Малин, Т. В., Мансуров, В. Г. , Галицын, Ю. Г., Кожухов, А. С., Александров, И. А., Ржеуцкий, Н. В., Лебедок, Е. В., Разумец, Е. А., Журавлев, К. С.
  
  Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных g-AlN и g-Si[3]N[3], [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 12. - С. 2327-2332 .- Милахин_формирование
• Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si
  Мансуров, В. Г. , Журавлёв, К. С., Галицын, Ю. Г., Малин, Т. В., Тийс, С. А., Федосенко, Е. В., Кожухов, А. С., Журавлев, К. С., Cora, Ildiko, Pecz, Bela
  
  Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1407-1413 Мансуров_формирование
• Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN
  Малин, Т. В., Журавлёв, К. С., Милахин, Д. С., Мансуров, В. Г. , Галицын, Ю. Г., Кожухов, А. С., Ратников, В. В., Смирнов, А. Н., Давыдов, В. Ю., Журавлeв, К. С.
  
  Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 643-650 Малин_влияние