Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных g-AlN и g-Si[3]N[3] - Статьи - Базы данных - БГТУ

Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных g-AlN и g-Si[3]N[3]

Авторы: Милахин, Д. С. Малин, Т. В. Мансуров, В. Г. Галицын, Ю. Г. Кожухов, А. С. Александров, И. А. Ржеуцкий, Н. В. Лебедок, Е. В. Разумец, Е. А. Журавлев, К. С.

Подробная информация

Индекс УДК	539.21
	Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных g-AlN и g-Si[3]N[3] Электронный ресурс
Аннотация	В данной работе изучен процесс формирования нанокристаллов GaN на графеноподобной модификации AlN (g-AlN) и графеноподобном нитриде кремния (g-Si[3]N[3]) методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака. Обнаружено, что рост GaN на поверхности g-Si[3]N[3] приводит к формированию разориентированных нанокристаллов. При росте GaN на поверхности g-AlN наблюдался эпитаксиальный рост одинаково ориентированных квантовых точек GaN графитоподобной модификации. Рассчитаны параметры решетки и энергетическая структура двух графитоподобных модификаций GaN с чередованием слоев AB (структура графита) и AA{+} (структура гексагонального нитрида бора).
Ключевые слова	нанокристаллы
Другие авторы	Малин, Т. В.
Название источника	Физика твердого тела
Место и дата издания	2019
Прочая информация	Т. 61, вып. 12. - С. 2327-2332
Имя макрообъекта	Милахин_формирование