| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/681823473 |
| Дата корректировки | 11:47:25 9 августа 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2019.12.48546.48ks | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Милахин, Д. С. | |
|
Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных g-AlN и g-Si[3]N[3] Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | В данной работе изучен процесс формирования нанокристаллов GaN на графеноподобной модификации AlN (g-AlN) и графеноподобном нитриде кремния (g-Si[3]N[3]) методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака. Обнаружено, что рост GaN на поверхности g-Si[3]N[3] приводит к формированию разориентированных нанокристаллов. При росте GaN на поверхности g-AlN наблюдался эпитаксиальный рост одинаково ориентированных квантовых точек GaN графитоподобной модификации. Рассчитаны параметры решетки и энергетическая структура двух графитоподобных модификаций GaN с чередованием слоев AB (структура графита) и AA{+} (структура гексагонального нитрида бора). |
| Ключевые слова | нанокристаллы |
|
нитрид галлия нитрид алюминия нитрид кремния графеноподобные слои формирование нанокристаллов молекулярно-лучевая эпитаксия |
|
| Другие авторы | Малин, Т. В. |
|
Мансуров, В. Г. Галицын, Ю. Г. Кожухов, А. С. Александров, И. А. Ржеуцкий, Н. В. Лебедок, Е. В. Разумец, Е. А. Журавлев, К. С. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 61, вып. 12. - С. 2327-2332 |
| Имя макрообъекта | Милахин_формирование |
| Тип документа | b |
