Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Малин, Т. В.

Статьи. Автор - Малин, Т. В.

• Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании x от 0 до 0.7 в слоях Al[x]Ga[1-x]N : Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
  Ратников, В. В., Журавлёв, К. С., Щеглов, М. П., Бер, Б. Я., Казанцев, Д. Ю., Осинных, И. В., Малин, Т. В., Журавлев, К. С.
  
  Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании x от 0 до 0.7 в слоях Al[x]Ga[1-x]N : Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 2. - С. 233-237 .- Ратников_изменение
• AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
  Журавлев, К. С., Журавлёв, К. С., Малин, Т. В., Мансуров, В. Г. , Терещенко, О. Е., Ревизников, Д. Л., Земляков, В. Е., Егоркин, В. И., Тихомиров, В. Г., Просвирин, И. П.
  
  AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 3. - С. 395-402 .- Журавлев_AlN
• Физико-химические аспекты формирования кристаллического слоя AlN на поверхности (0001)Al[2]O[3]
  Мансуров, В. Г. , Журавлёв, К. С., Галицын, Ю. Г., Михайлов, Ю. И., Малин, Т. В., Милахин, Д. С., Журавлев, К. С.
  
  Физико-химические аспекты формирования кристаллического слоя AlN на поверхности (0001)Al[2]O[3], [Электронный ресурс] ил. Химия в интересах устойчивого развития, 2019, Т. 27, № 3. - С. 317-322 Мансуров_физико-химические
• Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных g-AlN и g-Si[3]N[3]
  Милахин, Д. С., Малин, Т. В., Мансуров, В. Г. , Галицын, Ю. Г., Кожухов, А. С., Александров, И. А., Ржеуцкий, Н. В., Лебедок, Е. В., Разумец, Е. А., Журавлев, К. С.
  
  Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных g-AlN и g-Si[3]N[3], [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 12. - С. 2327-2332 .- Милахин_формирование
• Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si
  Мансуров, В. Г. , Журавлёв, К. С., Галицын, Ю. Г., Малин, Т. В., Тийс, С. А., Федосенко, Е. В., Кожухов, А. С., Журавлев, К. С., Cora, Ildiko, Pecz, Bela
  
  Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1407-1413 Мансуров_формирование
• Поверхностные поляритоны в пленках нитридов алюминия и галлия, легированных кремнием
  Новикова, Н. Н., Журавлёв, К. С., Яковлев, В. А., Климин, С. А., Малин, Т. В., Гилинский, А. М., Журавлев, К. С.
  
  Поверхностные поляритоны в пленках нитридов алюминия и галлия, легированных кремнием, [Электронный ресурс] ил., табл. Оптика и спектроскопия, 2019, Т. 127, вып. 1. - С. 42-45 Новикова_поверхностные
• Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN
  Малин, Т. В., Журавлёв, К. С., Милахин, Д. С., Мансуров, В. Г. , Галицын, Ю. Г., Кожухов, А. С., Ратников, В. В., Смирнов, А. Н., Давыдов, В. Ю., Журавлeв, К. С.
  
  Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 643-650 Малин_влияние