| Индекс УДК | 535.2/3 |
|
Параметры стимулированного излучения в Al[0.65]Ga[0.35]N : Si/AlN/Al[2]O[3]-структуре с планарной геометрией П. А. Бохан, К. С. Журавлев, Д. Э. Закревский [и др.] |
|
| Объем | 1 файл (649 Кб) |
| Примечание | Загл. с титул. экрана |
| Аннотация | Экспериментально изучены параметры стимулированного излучения в Al[0. 65]Ga[0. 35]N/AlN/Al[2]O[3]-гетероструктуре в широком спектральном диапазон 370-670 nm при комнатной температуре, образующейся при поперечной импульсной накачке излучением с длиной волны 266 nm, длительностью импульсов 8 ns и частотой повторения 10 Hz. Легированная кремнием до концентрации n[Si]~1. 5*10{20} cm{-3} Al[0. 65]Ga[0. 35]N-пленка толщиной 1. 1 mum представляет собой асимметричный планарный волновод, обладающий усилительными свойствами с коэффициентом усиления ~10 cm{-1}. Квантовая эффективность стимулированного излучения составила eta~18% при величине мощности оптической накачки P[p]=100 kW/cm{2} и выводом стимулированного излучения через подложку. Спектр излучения состоит из совокупности эквидистантных пиков, каждый из них состоит из суммы двух плоских TE- и TM-волн. Эти волны распространяются зигзагообразно из-за внутреннего отражения на границах структуры. Получена узкая угловая расходимость 5. 3 градусов стимулированного излучения в перпендикулярном направлении к плоскости структуры, a в параллельном направлении расходимость составляет 20 градусов. |
| Название источника | Оптика и спектроскопия |
| Место и дата издания | 2024 |
| Прочая информация | Т. 132, № 9. - С. 911-917 |
|
https://www.elibrary.ru/item.asp?id=78996687 |
