| Маркер записи | n 22 3 4500 |
| Контрольный номер | opsp24_to132_no9_ss911_ad1 |
| Дата корректировки | 10:23:34 31 января 2025 г. |
| Кодируемые данные | 250115s2024||||RU|||||||||||#||||# rus0| |
|
10. 61011/OS. 2024. 09. 59189. 6977-24 DOI |
|
| Системный контрольный номер | RUMARS-opsp24_to132_no9_ss911_ad1 |
| AR-MARS | |
| Служба первич. каталог. |
Фундаментальная библиотека Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого МАРС |
| Код языка каталог. | rus |
| Код языка издания |
rus rus |
| Индекс УДК | 535.2/3 |
| Индекс ББК | 22.343 |
| Таблицы для массовых библиотек | |
|
Бохан, П. А. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН 070 |
|
|
Параметры стимулированного излучения в Al[0.65]Ga[0.35]N : Si/AlN/Al[2]O[3]-структуре с планарной геометрией П. А. Бохан, К. С. Журавлев, Д. Э. Закревский [и др.] |
|
| Объем | 1 файл (649 Кб) |
| Текст | |
| электронный | |
| Примечание | Загл. с титул. экрана |
| Библиография | Библиогр.: с. 917 (17 назв.) |
| Аннотация | Экспериментально изучены параметры стимулированного излучения в Al[0. 65]Ga[0. 35]N/AlN/Al[2]O[3]-гетероструктуре в широком спектральном диапазон 370-670 nm при комнатной температуре, образующейся при поперечной импульсной накачке излучением с длиной волны 266 nm, длительностью импульсов 8 ns и частотой повторения 10 Hz. Легированная кремнием до концентрации n[Si]~1. 5*10{20} cm{-3} Al[0. 65]Ga[0. 35]N-пленка толщиной 1. 1 mum представляет собой асимметричный планарный волновод, обладающий усилительными свойствами с коэффициентом усиления ~10 cm{-1}. Квантовая эффективность стимулированного излучения составила eta~18% при величине мощности оптической накачки P[p]=100 kW/cm{2} и выводом стимулированного излучения через подложку. Спектр излучения состоит из совокупности эквидистантных пиков, каждый из них состоит из суммы двух плоских TE- и TM-волн. Эти волны распространяются зигзагообразно из-за внутреннего отражения на границах структуры. Получена узкая угловая расходимость 5. 3 градусов стимулированного излучения в перпендикулярном направлении к плоскости структуры, a в параллельном направлении расходимость составляет 20 градусов. |
| Примеч. о целев. назн. | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
|
Физика AR-MARS Физическая оптика AR-MARS |
|
| Ключевые слова |
сильнолегированные структуры стимулированное излучение параметры стимулированного излучения планарные волноводы (оптика) оптическое усиление донорно-акцепторная рекомбинация (оптика) импульсная накачка излучением легирование кремнием спектры излучения |
|
Журавлев, К. С. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН 070 Закревский, Д. Э. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный технический университет 070 Малин, Т. В. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН 070 Фатеев, Н. В. Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный университет 070 |
|
| ISSN | 2782-6694 |
| Название источника | Оптика и спектроскопия |
| Место и дата издания | 2024 |
| Прочая информация | Т. 132, № 9. - С. 911-917 |
|
RU 19013582 20250115 RCR |
|
|
RU 19013582 20250115 |
|
|
RU AR-MARS 20250123 RCR |
|
|
RU AR-MARS 20250123 |
|
|
https://www.elibrary.ru/item.asp?id=78996687 |
|
| Тип документа | b |
|
code year to no ss ad |
|
|
opsp 2024 132 9 911 1 |
|
| 13761 | |
| Лазерная физика и лазерная оптика | |
| drc cu | |
| uabc | |
| html |
