| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании x от 0 до 0.7 в слоях Al[x]Ga[1-x]N : Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Методами рентгеновской дифрактометрии исследованы деформационное состояние и дефектная структура эпитаксиальных слоев Al[x]Ga[1-x]N : Si (x = 0-0.7), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных кремнием при постоянном потоке силана. Концентрация атомов Si в слоях, измеренная методом вторично-ионной масс-спектрометрии, составила (4.0-8.0) · 10{19} см{-3}. Найдено, что для x < 0.4 латеральные остаточные напряжения имеют компрессионный характер, в то время как для x > 0.4 они становятся растягивающими. Проведена оценка напряжений после окончания роста и обсуждается вклад в деформационное состояние слоев как коалесценции зародышей растущего слоя, так и напряжений несоответствия в системе слой-буфер. Найдено, что для x = 0.7 плотности вертикальных винтовых и краевых дислокаций максимальны и равны 1.5 · 10{10} и 8.2 · 10{10} см{-2} соответственно. |
| Ключевые слова | биаксиальные напряжения |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 52, вып. 2. - С. 233-237 |
| Имя макрообъекта | Ратников_изменение |
