Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/687433217 |
Дата корректировки | 9:52:19 13 октября 2021 г. |
10.21883/FTP.2018.02.45448.8699 | |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Ратников, В. В. | |
Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании x от 0 до 0.7 в слоях Al[x]Ga[1-x]N : Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии Электронный ресурс |
|
Change in the character of biaxial stresses with increase of x from 0 to 0.7 in the Al[x]Ga[1-x]N : Si layers obtained by ammonia molecular-beam epitaxy | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
Библиография | Библиогр.: 24 назв. |
Аннотация | Методами рентгеновской дифрактометрии исследованы деформационное состояние и дефектная структура эпитаксиальных слоев Al[x]Ga[1-x]N : Si (x = 0-0.7), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных кремнием при постоянном потоке силана. Концентрация атомов Si в слоях, измеренная методом вторично-ионной масс-спектрометрии, составила (4.0-8.0) · 10{19} см{-3}. Найдено, что для x < 0.4 латеральные остаточные напряжения имеют компрессионный характер, в то время как для x > 0.4 они становятся растягивающими. Проведена оценка напряжений после окончания роста и обсуждается вклад в деформационное состояние слоев как коалесценции зародышей растущего слоя, так и напряжений несоответствия в системе слой-буфер. Найдено, что для x = 0.7 плотности вертикальных винтовых и краевых дислокаций максимальны и равны 1.5 · 10{10} и 8.2 · 10{10} см{-2} соответственно. |
Служебное примечание | Журавлёв, К. С. |
Ключевые слова | биаксиальные напряжения |
молекулярно-лучевая эпитаксия рентгеновская дифрактометрия эпитаксиальные слои нитриды металлов силан |
|
Щеглов, М. П. Бер, Б. Я. Казанцев, Д. Ю. Осинных, И. В. Малин, Т. В. Журавлев, К. С. |
|
Название источника | Физика и техника полупроводников |
Место и дата издания | 2018 |
Прочая информация | Т. 52, вып. 2. - С. 233-237 |
Имя макрообъекта | Ратников_изменение |
Тип документа | b |