Поиск

Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании x от 0 до 0.7 в слоях Al[x]Ga[1-x]N : Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии

Авторы: Ратников, В. В. Журавлёв, К. С. Щеглов, М. П. Бер, Б. Я. Казанцев, Д. Ю. Осинных, И. В. Малин, Т. В. Журавлев, К. С.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/687433217
Дата корректировки 9:52:19 13 октября 2021 г.
10.21883/FTP.2018.02.45448.8699
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Ратников, В. В.
Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании x от 0 до 0.7 в слоях Al[x]Ga[1-x]N : Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
Электронный ресурс
Change in the character of biaxial stresses with increase of x from 0 to 0.7 in the Al[x]Ga[1-x]N : Si layers obtained by ammonia molecular-beam epitaxy
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 24 назв.
Аннотация Методами рентгеновской дифрактометрии исследованы деформационное состояние и дефектная структура эпитаксиальных слоев Al[x]Ga[1-x]N : Si (x = 0-0.7), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных кремнием при постоянном потоке силана. Концентрация атомов Si в слоях, измеренная методом вторично-ионной масс-спектрометрии, составила (4.0-8.0) · 10{19} см{-3}. Найдено, что для x < 0.4 латеральные остаточные напряжения имеют компрессионный характер, в то время как для x > 0.4 они становятся растягивающими. Проведена оценка напряжений после окончания роста и обсуждается вклад в деформационное состояние слоев как коалесценции зародышей растущего слоя, так и напряжений несоответствия в системе слой-буфер. Найдено, что для x = 0.7 плотности вертикальных винтовых и краевых дислокаций максимальны и равны 1.5 · 10{10} и 8.2 · 10{10} см{-2} соответственно.
Служебное примечание Журавлёв, К. С.
Ключевые слова биаксиальные напряжения
молекулярно-лучевая эпитаксия
рентгеновская дифрактометрия
эпитаксиальные слои
нитриды металлов
силан
Щеглов, М. П.
Бер, Б. Я.
Казанцев, Д. Ю.
Осинных, И. В.
Малин, Т. В.
Журавлев, К. С.
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2018
Прочая информация Т. 52, вып. 2. - С. 233-237
Имя макрообъекта Ратников_изменение
Тип документа b