Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Журавлёв, К. С.

Статьи. Автор - Журавлёв, К. С.

• Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании x от 0 до 0.7 в слоях Al[x]Ga[1-x]N : Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
  Ратников, В. В., Журавлёв, К. С., Щеглов, М. П., Бер, Б. Я., Казанцев, Д. Ю., Осинных, И. В., Малин, Т. В., Журавлев, К. С.
  
  Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании x от 0 до 0.7 в слоях Al[x]Ga[1-x]N : Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 2. - С. 233-237 .- Ратников_изменение
• Влияние дефектов на кинетику фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN/AlN
  Александров, И. А., Журавлёв, К. С., Журавлев, К. С., Мансуров, В. Г.
  
  ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 191-194 .- Александров_влияние
• AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
  Журавлев, К. С., Журавлёв, К. С., Малин, Т. В., Мансуров, В. Г. , Терещенко, О. Е., Ревизников, Д. Л., Земляков, В. Е., Егоркин, В. И., Тихомиров, В. Г., Просвирин, И. П.
  
  AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 3. - С. 395-402 .- Журавлев_AlN
• Передача электронного возбуждения из органической матрицы в нанокристаллы CdS, полученные методом Ленгмюра-Блоджетт
  Зарубанов, А. А., Журавлёв, К. С., Плюснин, В. Ф., Журавлев, К. С.
  
  Передача электронного возбуждения из органической матрицы в нанокристаллы CdS, полученные методом Ленгмюра-Блоджетт, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 5. - С. 605-610 Зарубанов_передача
• Замедление кинетики фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN при туннельном взаимодействии с дефектами
  Александров, И. А., Журавлёв, К. С., Мансуров, В. Г. , Журавлев, К. С.
  
  Замедление кинетики фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN при туннельном взаимодействии с дефектами, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 8. - С. 1059-1063 Александров_замедление
• Физико-химические аспекты формирования кристаллического слоя AlN на поверхности (0001)Al[2]O[3]
  Мансуров, В. Г. , Журавлёв, К. С., Галицын, Ю. Г., Михайлов, Ю. И., Малин, Т. В., Милахин, Д. С., Журавлев, К. С.
  
  Физико-химические аспекты формирования кристаллического слоя AlN на поверхности (0001)Al[2]O[3], [Электронный ресурс] ил. Химия в интересах устойчивого развития, 2019, Т. 27, № 3. - С. 317-322 Мансуров_физико-химические
• Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si
  Мансуров, В. Г. , Журавлёв, К. С., Галицын, Ю. Г., Малин, Т. В., Тийс, С. А., Федосенко, Е. В., Кожухов, А. С., Журавлев, К. С., Cora, Ildiko, Pecz, Bela
  
  Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1407-1413 Мансуров_формирование
• Подвижность двумерного электронного газа в DA-pHEMT гетроструктурах с различной шириной профиля бета-n-слоев
  Протасов, Д. Ю., Журавлёв, К. С., Бакаров, А. К., Торопов, А. И., Бер, Б. Я., Казанцев, Д. Ю., Журавлев, К. С.
  
  Подвижность двумерного электронного газа в DA-pHEMT гетроструктурах с различной шириной профиля бета-n-слоев , [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 48-56 Протасов_подвижность
• Поверхностные поляритоны в пленках нитридов алюминия и галлия, легированных кремнием
  Новикова, Н. Н., Журавлёв, К. С., Яковлев, В. А., Климин, С. А., Малин, Т. В., Гилинский, А. М., Журавлев, К. С.
  
  Поверхностные поляритоны в пленках нитридов алюминия и галлия, легированных кремнием, [Электронный ресурс] ил., табл. Оптика и спектроскопия, 2019, Т. 127, вып. 1. - С. 42-45 Новикова_поверхностные
• Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN
  Малин, Т. В., Журавлёв, К. С., Милахин, Д. С., Мансуров, В. Г. , Галицын, Ю. Г., Кожухов, А. С., Ратников, В. В., Смирнов, А. Н., Давыдов, В. Ю., Журавлeв, К. С.
  
  Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 643-650 Малин_влияние