| Индекс УДК | 621.315.592:535.33 |
| Автор | Александров, И. А. |
| Заглавие | Влияние дефектов на кинетику фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN/AlN |
| Физич. носитель | Электронный ресурс |
| Аннотация | Исследовано влияние дефектов в барьере AlN на кривые затухания фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN в матрице AlN после импульсного возбуждения. В кривых затухания структур с квантовыми точками обнаружен начальный участок быстрого затухания фотолюминесценции. Сравнение кривых затухания фотолюминесценции структур с квантовыми точками и слоев AlN без квантовых точек показало, что этот участок связан с вкладом полосы фотолюминесценции дефектов матрицы AlN. |
| Ключевые слова | фотолюминесценция |
| Другие авторы | Журавлев, К. С. |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 2. - С. 191-194 |
| Имя макрообъекта | Александров_влияние |
