| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/669544745 |
| Дата корректировки | 14:35:19 20 марта 2021 г. |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592:535.33 |
| Автор | Александров, И. А. |
| Заглавие | Влияние дефектов на кинетику фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN/AlN |
| Физич. носитель | Электронный ресурс |
| Effect of defects in an AlN barrier on photoluminescence kinetics of GaN/AlN quantum dots | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 12 назв. |
| Аннотация | Исследовано влияние дефектов в барьере AlN на кривые затухания фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN в матрице AlN после импульсного возбуждения. В кривых затухания структур с квантовыми точками обнаружен начальный участок быстрого затухания фотолюминесценции. Сравнение кривых затухания фотолюминесценции структур с квантовыми точками и слоев AlN без квантовых точек показало, что этот участок связан с вкладом полосы фотолюминесценции дефектов матрицы AlN. |
| Служебное примечание | Журавлёв, К. С. |
| Ключевые слова | фотолюминесценция |
|
кинетика квантовые точки молекулярно-лучевая эпитаксия кривые затухания |
|
| Другие авторы | Журавлев, К. С. |
| Мансуров, В. Г. | |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 2. - С. 191-194 |
| Имя макрообъекта | Александров_влияние |
| Тип документа | b |
