Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Казанцев, Д. Ю.

Статьи. Автор - Казанцев, Д. Ю.

• Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании x от 0 до 0.7 в слоях Al[x]Ga[1-x]N : Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии
  Ратников, В. В., Журавлёв, К. С., Щеглов, М. П., Бер, Б. Я., Казанцев, Д. Ю., Осинных, И. В., Малин, Т. В., Журавлев, К. С.
  
  Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании x от 0 до 0.7 в слоях Al[x]Ga[1-x]N : Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 2. - С. 233-237 .- Ратников_изменение
• Формирование p-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях
  Карлина, Л. Б., Власов, А. С., Бер, Б. Я., Казанцев, Д. Ю., Тимошина, Н. Х., Кулагина, М. М., Смирнов, А. Б.
  
  Формирование p-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 5. - С. 699-703 Карлина_формирование
• Электрохимическое литирование кремния с разной кристаллографической ориентацией
  Астрова, Е. В., Нащёкин, А. В., Румянцев, А. М., Ли, Г. В., Нащекин, А. В., Казанцев, Д. Ю., Бер, Б. Я., Жданов, В. В.
  
  Электрохимическое литирование кремния с разной кристаллографической ориентацией, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 7. - С. 979-986 Астрова_электрохимическое
• Подвижность двумерного электронного газа в DA-pHEMT гетроструктурах с различной шириной профиля бета-n-слоев
  Протасов, Д. Ю., Журавлёв, К. С., Бакаров, А. К., Торопов, А. И., Бер, Б. Я., Казанцев, Д. Ю., Журавлев, К. С.
  
  Подвижность двумерного электронного газа в DA-pHEMT гетроструктурах с различной шириной профиля бета-n-слоев , [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 48-56 Протасов_подвижность
• Разработка и исследование туннельных p-i-n-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения
  Калиновский, В. С., Контрош, Е. В., Климко, Г. В., Иванов, С. В., Юферев, В. С., Бер, Б. Я., Казанцев, Д. Ю., Андреев, В. М.
  
  Разработка и исследование туннельных p-i-n-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения, [Электронный ресурс] цв. ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 3. - С. 285-291 Калиновский_разработка