| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Разработка и исследование туннельных p-i-n-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Создание соединительных туннельных диодов с высокой плотностью пикового туннельного тока, превышающей плотность тока короткого замыкания фотоактивных p-n-переходов, является важной задачей при разработке многопереходных фотопреобразователей (A{III}B{V}) мощного оптического излучения. На основе результатов численного моделирования вольт-амперных характеристик туннельных диодов предложен способ повышения плотности пикового туннельного тока путем включения между вырожденными слоями туннельного диода тонкого нелегированного i-слоя толщиной в несколькo нанометров. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены структуры p-i-n-GaAs/Al[0.2]Ga[0.8]As туннельных соединительных диодов со значениями пиковой плотности туннельного тока до 200 A/см{2}. |
| Ключевые слова | туннельные диоды |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 3. - С. 285-291 |
|
| Имя макрообъекта | Калиновский_разработка |
