| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675775821 |
| Дата корректировки | 11:36:54 31 мая 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.03.49034.9298 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Калиновский, В. С. | |
|
Разработка и исследование туннельных p-i-n-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения Электронный ресурс |
|
| Development and investigation of tunnel p-i-n GaAs/AlGaAs diodes for multi-junction converters of high-power laser radiation | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | цв. ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 27 назв. |
| Аннотация | Создание соединительных туннельных диодов с высокой плотностью пикового туннельного тока, превышающей плотность тока короткого замыкания фотоактивных p-n-переходов, является важной задачей при разработке многопереходных фотопреобразователей (A{III}B{V}) мощного оптического излучения. На основе результатов численного моделирования вольт-амперных характеристик туннельных диодов предложен способ повышения плотности пикового туннельного тока путем включения между вырожденными слоями туннельного диода тонкого нелегированного i-слоя толщиной в несколькo нанометров. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены структуры p-i-n-GaAs/Al[0.2]Ga[0.8]As туннельных соединительных диодов со значениями пиковой плотности туннельного тока до 200 A/см{2}. |
| Ключевые слова | туннельные диоды |
|
квантовое туннелирование многопереходные фотопреобразователи молекулярно-пучковая эпитаксия лазерное излучение полупроводниковые соединения |
|
|
Контрош, Е. В. Климко, Г. В. Иванов, С. В. Юферев, В. С. Бер, Б. Я. Казанцев, Д. Ю. Андреев, В. М. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 3. - С. 285-291 |
|
| Имя макрообъекта | Калиновский_разработка |
| Тип документа | b |
