Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Терещенко, О. Е.

Статьи. Автор - Терещенко, О. Е.

• Особенности электронной, спиновой и атомной структуры топологического изолятора Bi[2]Te[2.4]Se[0.6]
  Филянина, М. В., Климовских, И. И., Рыбкина, А. А., Рыбкин, А. Г., Жижин, Е. В., Петухов, А. Е., Kox, К. А., Чулков, Е. В., Терещенко, О. Е., Шикин, А. М.
  
  Особенности электронной, спиновой и атомной структуры топологического изолятора Bi[2]Te[2.4]Se[0.6], [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2016 .- Т. 58, вып. 4. - С. 754-762 .- Филянина_особенности
• Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами
  Климов, А. Э., Акимов, А. Н., Голяшов, В. А., Ищенко, Д. В., Неизвестный, И. Г., Сидоров, Г. Ю., Супрун, С. П., Тарасов, А. С., Терещенко, О. Е., Эпов, В. С.
  
  Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами, [Электронный ресурс] цв. ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 10. - С. 1122-1128 Климов_особенности
• Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом
  Акимов, А. Н., Ахундов, И. О., Ищенко, Д. В., Климов, А. Э., Неизвестный, И. Г., Пащин, Н. С., Супрун, С. П., Тарасов, А. С., Терещенко, О. Е., Федосенко, Е. В.
  
  Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2020 .- Т. 54, вып. 8. - С. 796-800 .- Акимов_знакопеременная
• Оптические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок Pb[0.74]Sn[0.26]Te(In) с модифицируемой поверхностью
  Иконников, А. В., Дудин, В. C., Артамкин, А. И., Акимов, А. Н., Климов, А. Э., Терещенко, О. Е., Рябова, Л. И., Хохлов, Д. Р.
  
  Оптические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок Pb[0.74]Sn[0.26]Te(In) с модифицируемой поверхностью, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 896-901 Иконников_оптические
• Раскрытие энергетической щели в области точки Дирака при осаждении кобальта на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe[2]
  Кавеев, А. К., Банщиков, А. Г., Терпицкий, А. Н., Голяшов, В. А., Терещенко, О. Е., Кох, К. А., Естюнин, Д. А., Шикин, А. М.
  
  Раскрытие энергетической щели в области точки Дирака при осаждении кобальта на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe[2], [Электронный ресурс] цв. ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 859-864 Кавеев_раскрытие
• Поверхностные спин-поляризованные токи, генерируемые в топологических изоляторах циркулярно-поляризованным синхротронным излучением, и их индикация методом фотоэлектронной спектроскопии
  Шикин, А. М., Климовских, И. И., Филянина, М. В., Рыбкина, А. А., Пудиков, Д. А., Кох, К. А., Терещенко, О. Е.
  
  Поверхностные спин-поляризованные токи, генерируемые в топологических изоляторах циркулярно-поляризованным синхротронным излучением, и их индикация методом фотоэлектронной спектроскопии, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2016 .- Т. 58, вып. 8. - С. 1617-1628 .- Шикин_поверхностные
• AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов
  Журавлев, К. С., Журавлёв, К. С., Малин, Т. В., Мансуров, В. Г. , Терещенко, О. Е., Ревизников, Д. Л., Земляков, В. Е., Егоркин, В. И., Тихомиров, В. Г., Просвирин, И. П.
  
  AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 3. - С. 395-402 .- Журавлев_AlN