Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Черкашин, Н. А.

Статьи. Автор - Черкашин, Н. А.

• Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования
  Земляков, В. Е., Волков, В. В., Парнес, Я. М., Лундин, В. В., Сахаров, А. В., Заварин, Е. Е., Цацульников, А. Ф., Черкашин, Н. А., Мизеров, М. Н. , Устинов, В. М.
  
  Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 2. - С. 245-249 .- Тихомиров_оптимизация
• Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций
  Цацульников, А. Ф., Лундин, В. В., Сахаров, А. В., Заварин, Е. Е., Усов, С. О., Николаев, А. Е., Яговкина, М. А., Устинов, В. М. , Черкашин, Н. А.
  
  Эпитаксиальный рост гетероструктур GaN/AlN/InAlN для HEMT в горизонтальных МОС-гидридных реакторах различных конструкций, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 9. - С. 1263-1269 .- Цацульников_эпитаксиальный