Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4° - Статьи - Базы данных - БГТУ

Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4°

Авторы: Крыжановская, Н. В. Полубавкина, Ю. С. Неведомский, В. Н. Никитина, Е. В. Лазаренко, А. А. Егоров, А. Ю. Максимов, М. В. Моисеев, Э. И. Жуков, А. Е.

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
	Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4° Электронный ресурс
Аннотация	Исследованы структурные и оптические свойства слоев GaP и GaPN, синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (100), разориентированных на 4°. Показана возможность получения буферных слоев GaP, обладающих высокой планарностью гетероинтерфейсов с плотностью выходов дислокаций на поверхность не более ~ 2 · 10{8} см{-2}. Получено излучение структуры Si/GaP/GaPN в спектральном диапазоне ~ 630-640 нм при комнатной температуре. Применение отжига в процессе роста структуры Si/GaP/GaPN позволило увеличить интенсивность фотолюминесценции при комнатной температуре в 2.6 раза без сдвига положения максимума линии излучения.
Ключевые слова	молекулярно-пучковая эпитаксия
	Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 2. - С. 276-280
Имя макрообъекта	Крыжановская_исследование