| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/678816814 |
| Дата корректировки | 16:24:55 5 июля 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2017.02.44118.8375 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Крыжановская, Н. В. | |
|
Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4° Электронный ресурс |
|
| Structural and optical properties of GaP(N) layers grown by molecular-beam epitaxy on Si(100) 4° substrates | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 8 назв. |
| Аннотация | Исследованы структурные и оптические свойства слоев GaP и GaPN, синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (100), разориентированных на 4°. Показана возможность получения буферных слоев GaP, обладающих высокой планарностью гетероинтерфейсов с плотностью выходов дислокаций на поверхность не более ~ 2 · 10{8} см{-2}. Получено излучение структуры Si/GaP/GaPN в спектральном диапазоне ~ 630-640 нм при комнатной температуре. Применение отжига в процессе роста структуры Si/GaP/GaPN позволило увеличить интенсивность фотолюминесценции при комнатной температуре в 2.6 раза без сдвига положения максимума линии излучения. |
| Ключевые слова | молекулярно-пучковая эпитаксия |
|
подложки Si спектроскопия фотолюминесценции гетероструктуры буферные слои |
|
|
Полубавкина, Ю. С. Неведомский, В. Н. Никитина, Е. В. Лазаренко, А. А. Егоров, А. Ю. Максимов, М. В. Моисеев, Э. И. Жуков, А. Е. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 2. - С. 276-280 |
|
| Имя макрообъекта | Крыжановская_исследование |
| Тип документа | b |
