Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Крыжановская, Н. В.

Статьи. Автор - Крыжановская, Н. В.

• Микромассивы кремниевых нанопилларов: формирование и резонансное отражение света
  Басалаева, Л. С., Настаушев, Ю. В., Дульцев, Ф.Н., Крыжановская, Н. В., Моисеев, Э. И.
  
  Микромассивы кремниевых нанопилларов: формирование и резонансное отражение света, [Электронный ресурс] Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 2. - С. 216-220 Басалаева_микромассивы
• Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300нм
  Бабичев, А. В., Крыжановская, Н. В., Моисеев, Э. И., Гладышев, А. Г., Карачинский, Л. Я., Новиков, И. И. , Блохин, С. А., Бобров, М. А. , Задиранов, Ю. М., Егоров, А. Ю.
  
  Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300нм, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 9. - С. 1176-1181 .- Бабичев_оптические
• Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства
  Крыжановская, Н. В., Иванов, К. А., Надточий, А. М., Хакимов, Р. Р., Маркеев, А. М., Воробьев, А. А., Гусева, Ю. А., Лихачев, А. И., Колодезный, Е. С., Жуков, А. Е.
  
  Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства, И. А. Мельниченко, Н. В. Крыжановская, К. А. Иванов [и др.] 1 файл (598 Кб) .- Загл. с титул. экрана .- // Оптика и спектроскопия .- 2023 .- Т. 131, № 8. - С. 1112-1117 .-
• Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
  Цырлин, Г. Э., Резник, Р. Р., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Котляр, К. П., Илькив, И. В., Сошников, И. П., Кириленко, Д. А., Крыжановская, Н. В.
  
  Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1304-1307 Цырлин_нитевидные
• Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями
  Асрян, Л. В. , Зубов, Ф. И., Балезина (Полубавкина), Ю. С., Полубавкина, Ю. С., Моисеев, Э. И., Муретова, М. Е., Крыжановская, Н. В., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
  
  Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1518-1526 Асрян_нарушение
• Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP
  Зубов, Ф. И., Семенова, Е. С., Кулькова, И. В., Yvind, K., Крыжановская, Н. В., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
  
  Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 10. - С. 1382-1386 .- Зубов_высокая
• Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
  Крыжановская, Н. В., Комаров, С. Д., Надточий, А. М., Гладышев, А. Г., Бабичев, А. В., Денисов, Д. В., Колодезный, Е. С., Новиков, И. И. , Карачинский, Л. Я., Егоров, А. Ю.
  
  Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы, Н. В. Крыжановская, А. С. Драгунова, С. Д. Комаров [и др.] граф., табл. // Оптика и спектроскопия .- 2021 .- Т. 129, вып. 2. - С. 218-222 .-
• Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства
  Резник, Р. Р., Гридчин, В. О., Котляр, К. П., Крыжановская, Н. В., Морозов, С. В., Цырлин, Г. Э.
  
  Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 884-887 Резник_синтез
• Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы
  Бабичев, А. В., Васильев, А. А., Блохин, А. А., Моисеев, Э. И., Блохин, С. А., Елисеев, И. А., Давыдов, В. Ю., Брунков, П. Н., Крыжановская, Н. В., Егоров, А. Ю.
  
  Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 833-840 Бабичев_исследование
• Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27мкм
  Крыжановская, Н. В., Максимов, М. В., Блохин, С. А., Бобров, М. А. , Кулагина, М. М., Трошков, С. И., Задиранов, Ю. М., Моисеев, Э. И., Устинов, В. М. , Жуков, А. Е.
  
  Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27мкм, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 3. - С. 393-397 .- Крыжановская_инжекционные
• Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями
  Полубавкина, Ю. С., Семёнова, Е. С., Зубов, Ф. И., Моисеев, Э. И., Крыжановская, Н. В., Максимов, М. В., Семенова, Е. С., Yvind, K., Асрян, Л. В. , Жуков, А. Е.
  
  Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 2. - С. 263-268 .- Полубавкина_особенности
• Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4°
  Крыжановская, Н. В., Полубавкина, Ю. С., Неведомский, В. Н., Никитина, Е. В., Лазаренко, А. А., Егоров, А. Ю., Максимов, М. В., Моисеев, Э. И., Жуков, А. Е.
  
  Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4° , [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 276-280 Крыжановская_исследование
• Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона
  Жуков, А. Е. , Алферов, Ж. И., Цырлин, Г. Э., Резник, Р. Р., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Калитеевский, М. А. , Иванов, К. А., Крыжановская, Н. В., Максимов, М. В.
  
  Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 5. - С. 674-678 .- Жуков_многослойные
• Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом
  Крыжановская, Н. В., Иванов, К. А., Моисеев, Э. И., Надточий, А. М., Кулагина, М. М., Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Хабибуллин, Р. А., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
  
  Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом, Н. А. Фоминых, Н. В. Крыжановская, К. А. Иванов [и др.] 1 файл (282 Кб) .- Загл. с титул. экрана .- // Оптика и спектроскопия .- 2023 .- Т. 131, № 11. - С. 1483-1485 .-
• Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство
  Зубов, Ф. И., Крыжановская, Н. В., Моисеев, Э. И., Полубавкина, Ю. С., Кулагина, М. М., Задиранов, Ю. М., Трошков, С. И., Липовский, А. А., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
  
  Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 10. - С. 1425-1428 .- Зубов_лазерные
• Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний
  Асрян, Л. В. , Зубов, Ф. И., Крыжановская, Н. В., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
  
  Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 10. - С. 1380-1386 .- Асрян_теория
• Предельная температура генерации микродисковых лазеров
  Жуков, А. Е. , Крыжановская, Н. В., Моисеев, Э. И., Кулагина, М. М., Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Надточий, А. М., Максимов, М. В.
  
  Предельная температура генерации микродисковых лазеров, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 6. - С. 570-574 Жуков_предельная
• Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs
  Моисеев, Э. И., Максимов, М. В., Крыжановская, Н. В., Симчук, О. И., Кулагина, М. М., Кадинская, С. А., Guina, M., Жуков, А. Е.
  
  Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 2. - С. 212-216 Моисеев_сравнительный