| Индекс УДК | 535.37 |
|
Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы Н. В. Крыжановская, А. С. Драгунова, С. Д. Комаров [и др.] |
|
| Аннотация | Методами спектроскопии фотолюминесценции (ФЛ) выполнено исследование оптических свойств трехмерных квантово-размерных островков InGaPAs, сформированных методом замещения фосфора на мышьяк в слое InGaP, осажденном на GaAs непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Линия ФЛ сформированного массива островков лежит в диапазоне 950-1000 nm при комнатной температуре. Исследования ФЛ в диапазоне температур 78-300 K свидетельствуют о существенной неоднородности массива островков, наличии центров безызлучательной рекомбинации и транспорте носителей между островками. На спектрах возбуждения люминесценции наблюдается линия, связанная с поглощением в остаточном двумерном слое InGaPAs. Применение отжига структур позволило увеличить интенсивность ФЛ при комнатной температуре до 300% при незначительном коротковолновом сдвиге линии излучения островков, а также улучшить однородность внутри массива островков. |
| Название источника | Оптика и спектроскопия |
| Место и дата издания | 2021 |
| Прочая информация | Т. 129, вып. 2. - С. 218-222 |
