| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии исследовано пространственное распределение интенсивности излучения, возникающего при больших уровнях накачки (до 30 кА/см{2}) вследствие рекомбинации в волноводном слое лазерной структуры GaAs/AlGaAs с асимметричными барьерными слоями GaInP и AlGaInAs. Обнаружено, что в таком лазере волноводная люминесценция, в целом менее интенсивная по сравнению с наблюдаемой в аналогичном лазере без асимметричных барьеров, распределена в волноводе неравномерно - максимум распределения сдвинут к p-эмиттеру. Это может быть объяснено способностью барьера GaInP, примыкающего к квантовой яме со стороны n-эмиттера, подавлять транспорт дырок. |
| Ключевые слова | лазерные структуры |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 2. - С. 263-268 |
| Имя макрообъекта | Полубавкина_особенности |
