| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/678981129 |
| Дата корректировки | 14:00:36 7 июля 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2017.02.44116.8361 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Полубавкина, Ю. С. | |
|
Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями Электронный ресурс |
|
| Peculiarities of waveguide recombination in laser structures with asymmetric barrier layers | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии исследовано пространственное распределение интенсивности излучения, возникающего при больших уровнях накачки (до 30 кА/см{2}) вследствие рекомбинации в волноводном слое лазерной структуры GaAs/AlGaAs с асимметричными барьерными слоями GaInP и AlGaInAs. Обнаружено, что в таком лазере волноводная люминесценция, в целом менее интенсивная по сравнению с наблюдаемой в аналогичном лазере без асимметричных барьеров, распределена в волноводе неравномерно - максимум распределения сдвинут к p-эмиттеру. Это может быть объяснено способностью барьера GaInP, примыкающего к квантовой яме со стороны n-эмиттера, подавлять транспорт дырок. |
| Служебное примечание | Семёнова, Е. С. |
| Ключевые слова | лазерные структуры |
|
волноводные рекомбинации волноводная люминесценция асимметричные барьеры полупроводниковые лазеры барьерные слои лазерные волноводы |
|
|
Зубов, Ф. И. Моисеев, Э. И. Крыжановская, Н. В. Максимов, М. В. Семенова, Е. С. Yvind, K. Асрян, Л. В. Жуков, А. Е. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 2. - С. 263-268 |
| Имя макрообъекта | Полубавкина_особенности |
| Тип документа | b |
