Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Зубов, Ф. И.

Статьи. Автор - Зубов, Ф. И.

• Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями
  Асрян, Л. В. , Зубов, Ф. И., Балезина (Полубавкина), Ю. С., Полубавкина, Ю. С., Моисеев, Э. И., Муретова, М. Е., Крыжановская, Н. В., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
  
  Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1518-1526 Асрян_нарушение
• Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP
  Зубов, Ф. И., Семенова, Е. С., Кулькова, И. В., Yvind, K., Крыжановская, Н. В., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
  
  Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 10. - С. 1382-1386 .- Зубов_высокая
• Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями
  Полубавкина, Ю. С., Семёнова, Е. С., Зубов, Ф. И., Моисеев, Э. И., Крыжановская, Н. В., Максимов, М. В., Семенова, Е. С., Yvind, K., Асрян, Л. В. , Жуков, А. Е.
  
  Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 2. - С. 263-268 .- Полубавкина_особенности
• Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна
  Хабибуллин, Р. А., Пономарёв, Д. С., Алферов, Ж. И., Клочков, А. Н. , Пономарев, Д. С., Мальцев, П. П. , Зайцев, А. А., Зубов, Ф. И., Жуков, А. Е. , Цырлин, Г. Э.
  
  Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 4. - С. 540-546 .- Хабибуллин_энергетический
• Подавление волноводной рекомбинации за счет использования парных асимметричных барьеров в лазерных гетероструктурах
  Зубов, Ф. И., Максимов, М. В., Гордеев, Н. Ю., Полубавкина, Ю. С., Жуков, А. Е.
  
  Подавление волноводной рекомбинации за счет использования парных асимметричных барьеров в лазерных гетероструктурах, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 2. - С. 260-265 Зубов_подавление
• Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство
  Зубов, Ф. И., Крыжановская, Н. В., Моисеев, Э. И., Полубавкина, Ю. С., Кулагина, М. М., Задиранов, Ю. М., Трошков, С. И., Липовский, А. А., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
  
  Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 10. - С. 1425-1428 .- Зубов_лазерные
• Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs
  Хабибуллин, Р. А., Пономарёв, Д. С., Алферов, Ж. И., Павлов, А. Ю., Пономарев, Д. С., Томош, К. Н., Мальцев, П. П. , Жуков, А. Е. , Цырлин, Г. Э., Зубов, Ф. И.
  
  Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs, [Электронный ресурс] // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 10. - С. 1395-1400 .- Хабибуллин_изготовление
• Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний
  Асрян, Л. В. , Зубов, Ф. И., Крыжановская, Н. В., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
  
  Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 10. - С. 1380-1386 .- Асрян_теория
• Паразитная рекомбинация в лазере с асимметричными барьерными слоями
  Зубов, Ф. И., Муретова, М. Е., Паюсов, А. С., Максимов, М. В., Жуков, А. Е. , Асрян, Л. В.
  
  Паразитная рекомбинация в лазере с асимметричными барьерными слоями, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 3. - С. 296-303 Зубов_паразитная