-
Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки
Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Лукин, А. Н., Мизеров, А. М., Никитина, Е. В., Арсентьев, И. Н., Leiste, Harald, Rinke, Monika
Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In[x]Ga[1-x]N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 1. - С. 70-76
Середин_влияние
-
Влияние Lactobacillus plantarum AG10 на текстурные характеристики обезжиренного сквашенного молока
Никитина, Е. В., Вафина, А. И., Петрова, Т. А.
Влияние Lactobacillus plantarum AG10 на текстурные характеристики обезжиренного сквашенного молока, Е. В. Никитина, А. И. Вафина, Т. А. Петрова
2 рис., 2 табл.
// Пищевая промышленность .-
2020 .-
№ 11. - С. 24-27 .-
-
Синтез и антибактериальная активность сульфаниламидов с пространственно затрудненными фенольными фрагментами
Бухаров, С. В., Бурилов, А. Р., Тагашева, Р. Г., Нугуманова, Г. Н., Никитина, Е. В., Мукменева, Н. А.
Синтез и антибактериальная активность сульфаниламидов с пространственно затрудненными фенольными фрагментами, Бухаров С. В., Бурилов А. Р., Тагашева Р. Г. [и др.]
// Журнал органической химии .-
2021 .-
Т. 57, № 10. - С. 1429-1437 .-
-
Биоремедиация отходов нефтехимическог производства с использованием компостирования [Текст]
Никитина, Е. В., Якушева, О. И., Гарусов, А. В., Наумова, Р. П.
Биоремедиация отходов нефтехимическог производства с использованием компостирования [Текст]
Биотехнология , 2006, № 1 .- С.53-61
-
Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Резник, Р. Р., Котляр, К. П., Илькив, И. В., Сошников, И. П., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Никитина, Е. В., Цырлин, Г. Э.
Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 10. - С. 1886-1889 .-
Резник_рост
-
Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)
Кукушкин, С. А., Буравлёв, А. Д., Мизеров, А. М., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Никитина, Е. В., Тимошнев, С. Н. , Буравлев, А. Д.
Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111), [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 2. - С. 190-198
Кукушкин_фотоэлектрические
-
Перспектива применения ДНК-повреждающего теста для оценки биобезопасности пищевых продуктов
Никитина, Е. В., Китаевская, С. В., Пономарев, В. Я., Юнусов, Э. Ш.
Перспектива применения ДНК-повреждающего теста для оценки биобезопасности пищевых продуктов
Пищевая промышленность , 2006, № 7 .- С. 40-41
-
Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4°
Крыжановская, Н. В., Полубавкина, Ю. С., Неведомский, В. Н., Никитина, Е. В., Лазаренко, А. А., Егоров, А. Ю., Максимов, М. В., Моисеев, Э. И., Жуков, А. Е.
Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4° , [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 276-280
Крыжановская_исследование
-
Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
Мизеров, А. М., Буравлёв, А. Д., Тимошнев, С. Н. , Соболев, М. C., Никитина, Е. В., Шубина, К. Ю., Березовская, Т. Н., Штром, И. В., Буравлев, А. Д.
Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота, [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1425-1429
Мизеров_особенности
-
Исследование коррозионно-электрохимического поведения сплава монель в расплавах карбонатов
Никитина, Е. В., Казаковцева, Н. А., Майков, М. А., Малков, В. Б., Карфидов, Э. А., Чуйкин, А. Ю.
Исследование коррозионно-электрохимического поведения сплава монель в расплавах карбонатов, [[Текст]], Е. В. Никитина [и др.]
// Электрохимия .-
2018 .-
Т. 54, № 9. - С. 801-805 .-
-
Исследование спонтанной эмиссии в брэгговских монослойных квантовых ямах InAs
Позина, Г., Калитеевский, М. А. , Никитина, Е. В., Губайдуллин, А. Р., Иванов, К. А., Егоров, А. Ю.
Исследование спонтанной эмиссии в брэгговских монослойных квантовых ямах InAs, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 736-740
Позина_исследование
-
Электрический пробой в чистом n- и p-Si
Банная, В. Ф., Никитина, Е. В.
Электрический пробой в чистом n- и p-Si, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 3. - С. 291-294
Банная_электрический
-
Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре
Воробьёв, Л. Е., Пихтин, Н. А., Тарасов, И. С., Никитина, Е. В., Софронов, А. Н., Фирсов, Д. А., Воробьев, Л. Е., Новиков, И. И. , Карачинский, Л. Я., Егоров, А. Ю.
Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 10. - С. 1320-1324 .-
Бабичев_генерация
-
Влияние квантового магнитного поля на разогрев носителей заряда в чистом Ge
Банная, В. Ф., Никитина, Е. В.
Влияние квантового магнитного поля на разогрев носителей заряда в чистом Ge, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 1. - С. 13-17
Банная_влияние
-
Коррекция характеристик кремниевых фотодиодов путем применения ионной имплантации
Асадчиков, В. Е., Дьячкова, И. Г., Золотов, Д. А., Чуховский, Ф. Н., Никитина, Е. В.
Коррекция характеристик кремниевых фотодиодов путем применения ионной имплантации, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 6. - С. 557-563
Асадчиков_коррекция
-
Разогрев электронов в чистом Ge в квантовом магнитном поле при термическом возбуждении носителей заряда
Банная, В. Ф., Никитина, Е. В.
Разогрев электронов в чистом Ge в квантовом магнитном поле при термическом возбуждении носителей заряда, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 3. - С. 221-223
Банная_разогрев
-
Внутримолекулярное термическое и каталитическое [4+2]-циклоприсоединение в 2-алкенилфуранах [Текст]
Зубков, Ф. И., Никитина, Е. В., Варламов, А. В.
Внутримолекулярное термическое и каталитическое [4+2]-циклоприсоединение в 2-алкенилфуранах [Текст]
Табл.2
Успехи химии , 2005, Т. 74, № 7 .- С. 707-738
-
Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/por-Si/Si(111)
Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Тимошнев, С. Н. , Никитина, Е. В., Арсентьев, И. Н., Кукушкин, С. А.
Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/por-Si/Si(111), [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 346-354
Середин_оптические