| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Электрический пробой в чистом n- и p-Si Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Представлены результаты расчета зависимостей кинетических коэффициентов ударной ионизации и термической рекомбинации от электрического поля в чистом кремнии. По аналогии с германием рассчитаны зависимости поля электрического пробоя E[br] от степени компенсации материала K. Дано подробное обоснование правомочности такого расчета. Представлены кривые E[br](K) и проведено сравнение с экспериментальными данными в области слабых компенсаций. Выполнена привязка к экспериментальным результатам, при которой наблюдается удовлетворительное соответствие теории и эксперимента. |
| Ключевые слова | электрические пробои |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 3. - С. 291-294 |
|
| Имя макрообъекта | Банная_электрический |
