| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/687521049 |
| Дата корректировки | 10:10:13 14 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.03.45610.8536 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Банная, В. Ф. | |
|
Электрический пробой в чистом n- и p-Si Электронный ресурс |
|
| Electrical breakdown in pure n- and p-Si | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 7 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты расчета зависимостей кинетических коэффициентов ударной ионизации и термической рекомбинации от электрического поля в чистом кремнии. По аналогии с германием рассчитаны зависимости поля электрического пробоя E[br] от степени компенсации материала K. Дано подробное обоснование правомочности такого расчета. Представлены кривые E[br](K) и проведено сравнение с экспериментальными данными в области слабых компенсаций. Выполнена привязка к экспериментальным результатам, при которой наблюдается удовлетворительное соответствие теории и эксперимента. |
| Ключевые слова | электрические пробои |
|
кремний ударная ионизация термическая рекомбинация |
|
| Никитина, Е. В. | |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 3. - С. 291-294 |
|
| Имя макрообъекта | Банная_электрический |
| Тип документа | b |
