Индекс УДК | 539.21 |
Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии Электронный ресурс |
|
Ключевые слова | нанокристаллы |
Другие авторы | Котляр, К. П. |
Название источника | Физика твердого тела |
Место и дата издания | 2016 |
Прочая информация | Т. 58, вып. 10. - С. 1886-1889 |
Имя макрообъекта | Резник_рост |