Поиск

Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Авторы: Резник, Р. Р. Котляр, К. П. Илькив, И. В. Сошников, И. П. Кукушкин, С. А. Осипов, А. В. Никитина, Е. В. Цырлин, Г. Э.
Подробная информация
Индекс УДК 539.21
Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Электронный ресурс
Ключевые слова нанокристаллы
Другие авторы Котляр, К. П.
Название источника Физика твердого тела
Место и дата издания 2016
Прочая информация Т. 58, вып. 10. - С. 1886-1889
Имя макрообъекта Резник_рост