| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/670063971 |
| Дата корректировки | 9:06:22 26 марта 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Резник, Р. Р. | |
|
Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Продемонстрирована принципиальная возможность выращивания нитевидных нанокристаллов GaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии на кремниевой подложке с наноразмерным буферным слоем карбида кремния. Исследованы морфологические и оптические свойства полученной системы. Показано, что интенсивность пика спектра фотолюминесценции у таких структур более чем в 2 раза выше, чем у лучших структур нитевидных нанокристаллов GaN без буферного слоя карбида кремния. |
| Ключевые слова | нанокристаллы |
|
нитевидные нанокристаллы молекулярно-пучковая эпитаксия |
|
| Другие авторы | Котляр, К. П. |
|
Илькив, И. В. Сошников, И. П. Кукушкин, С. А. Осипов, А. В. Никитина, Е. В. Цырлин, Г. Э. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 58, вып. 10. - С. 1886-1889 |
| Имя макрообъекта | Резник_рост |
| Тип документа | b |
