Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Сошников, И. П.

Статьи. Автор - Сошников, И. П.

• Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок бета-Ga[2]O[3], синтезированных на подложках SiC/Si
  Гращенко, А. С., Кукушкин, С. А., Николаев, В. И., Осипов, А. В., Осипова, Е. В., Сошников, И. П.
  
  Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок бета-Ga[2]O[3], синтезированных на подложках SiC/Si, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 5. - С. 851-856 .- Гращенко_исследование анизотропных
• Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия
  Лубянский, Я. В., Золотарёв, В. В., Бондарев, А. Д., Сошников, И. П., Берт, Н. А., Золотарев, В. В., Кириленко, Д. А., Котляр, К. П., Пихтин, Н. А., Тарасов, И. С.
  
  Влияние концентрации кислорода в составе газовой плазмообразующей смеси на оптические и структурные свойства пленок нитрида алюминия, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 2. - С. 196-200 Лубянский_влияние
• Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
  Цырлин, Г. Э., Резник, Р. Р., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Котляр, К. П., Илькив, И. В., Сошников, И. П., Кириленко, Д. А., Крыжановская, Н. В.
  
  Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1304-1307 Цырлин_нитевидные
• Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом
  Сибирев, Н. В., Сибирёв, Н. В., Буравлёв, А. Д., Котляр, К. П., Штром, И. В., Убыйвовк, Е. В., Сошников, И. П., Резник, Р. Р., Буравлев, А. Д., Цырлин, Г. Э.
  
  Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2018 .- Т. 52, вып. 12. - С. 1464-1468 .- Сибирев_солнечный
• Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии
  Резник, Р. Р., Котляр, К. П., Илькив, И. В., Сошников, И. П., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Никитина, Е. В., Цырлин, Г. Э.
  
  Рост и оптические свойства нитевидных нанокристаллов GaN, выращенных на гибридной подложке SiC/Si(111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2016 .- Т. 58, вып. 10. - С. 1886-1889 .- Резник_рост
• Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP-GaAs в квазиравновесных условиях
  Карлина, Л. Б., Власов, А. С., Сошников, И. П., Смирнова, И. П., Бер, Б. Я., Смирнов, А. Б.
  
  Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP-GaAs в квазиравновесных условиях, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1244-1249 Карлина_рост
• Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена
  Резник, Р. Р., Котляр, К. П., Илькив, И. В., Сошников, И. П., Лебедев, С. П., Лебедев, А. А., Кириленко, Д. А., Алексеев, П. А., Цырлин, Г. Э.
  
  Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1317-1320 Резник_синтез
• Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A{III}B{V} нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)
  Резник, Р. Р., Котляр, К. П., Штром, И. В., Сошников, И. П., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Цырлин, Г. Э.
  
  Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A{III}B{V} нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111), [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1525-1529 Резник_синтез
• Автокаталитический синтез нитевидных нанокристаллов CdTe методом магнетронного осаждения
  Сошников, И. П., Семенов, А. А., Белявский, П. Ю., Штром, И. В., Котляр, К. П., Лисак, В. В., Кудряшов, Д. А., Павлов, С. И., Нащекин, А. В., Цырлин, Г. Э.
  
  Автокаталитический синтез нитевидных нанокристаллов CdTe методом магнетронного осаждения, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2016 .- Т. 58, вып. 12. - С. 2314-2318 .- Сошников_автокаталитический
• Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
  Цырлин, Г. Э., Буравлёв, А. Д., Штром, И. В., Резник, Р. Р., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Буравлев, А. Д., Сошников, И. П.
  
  Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 11. - С. 1441-1444 .- Цырлин_гибридные
• Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN
  Штром, И. В., Буравлёв, А. Д., Буравлев, А. Д., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Сошников, И. П., Резник, Р. Р., Цырлин, Г. Э., Perros, A., Lipsanen, H.
  
  Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 12. - С. 1644-1646 Штром_пассивация
• Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов
  Редьков, А. В., Гращенко, А. С., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Котляр, К. П., Лихачев, А. И., Нащекин, А. В., Сошников, И. П.
  
  Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 3. - С. 433-440 .- Редьков_эволюция