| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP-GaAs в квазиравновесных условиях Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Впервые рассмотрено формирование наноструктур на поверхности GaAs в квазиравновесных условиях в квазизамкнутом объеме из насыщенных паров фосфора и индия в присутствии Au-катализатора, при росте по механизму "пар-жидкость-кристалл". Исследовалось влияние температуры процесса и размера Au-капель на морфологию и состав полученных наноструктур. Приведены экспериментальные данные по образованию в данных условиях нанокристаллов Ga(In)AsP на подложках GaAs различной ориентации. Установлено, что температурным интервалом роста наноструктур при использовании данного метода является диапазон 540-640°C при размере капель от 30 до 120 нм. Показано, что размер капель катализатора существенно влияет на морфологию и скорость роста полученных наноструктур, тогда как их состав слабо зависит как от размера капель, так и от ориентации подложки. |
| Ключевые слова | наноструктуры |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 10. - С. 1244-1249 |
|
| Имя макрообъекта | Карлина_рост |
