| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689872785 |
| Дата корректировки | 15:35:41 10 ноября 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2018.10.46468.8866 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Карлина, Л. Б. | |
|
Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP-GaAs в квазиравновесных условиях Электронный ресурс |
|
| Ga(In)AsP-GaAs nanostructure growth at quasiequilibrium conditions | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 24 назв. |
| Аннотация | Впервые рассмотрено формирование наноструктур на поверхности GaAs в квазиравновесных условиях в квазизамкнутом объеме из насыщенных паров фосфора и индия в присутствии Au-катализатора, при росте по механизму "пар-жидкость-кристалл". Исследовалось влияние температуры процесса и размера Au-капель на морфологию и состав полученных наноструктур. Приведены экспериментальные данные по образованию в данных условиях нанокристаллов Ga(In)AsP на подложках GaAs различной ориентации. Установлено, что температурным интервалом роста наноструктур при использовании данного метода является диапазон 540-640°C при размере капель от 30 до 120 нм. Показано, что размер капель катализатора существенно влияет на морфологию и скорость роста полученных наноструктур, тогда как их состав слабо зависит как от размера капель, так и от ориентации подложки. |
| Ключевые слова | наноструктуры |
|
арсенид галлия подложки GaAs квазиравновесные условия олово-фосфид индия спектры комбинационного рассеяния света рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия |
|
|
Власов, А. С. Сошников, И. П. Смирнова, И. П. Бер, Б. Я. Смирнов, А. Б. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 10. - С. 1244-1249 |
|
| Имя макрообъекта | Карлина_рост |
| Тип документа | b |
