| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Продемонстрировано, что молекулярное наслаивание тонких слоев AlN может быть использовано для пассивации поверхностных состояний GaAs нитевидных нанокристаллов, синтезированных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии. Исследование оптических свойств образцов методом низкотемпературной фотолюминесценции показало, что интенсивность сигнала фотолюминесценции может быть увеличена вплоть до 5 раз при пассивации нитевидных нанокристаллов слоем AlN с толщиной 25 А. |
| Ключевые слова | нитевидные нанокристаллы |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 12. - С. 1644-1646 |
|
| Имя макрообъекта | Штром_пассивация |
