| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675426039 |
| Дата корректировки | 10:25:35 27 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Штром, И. В. | |
|
Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN Электронный ресурс |
|
| Surface passivation of GaAs nanowires by atomic layer deposition of AlN | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| Аннотация | Продемонстрировано, что молекулярное наслаивание тонких слоев AlN может быть использовано для пассивации поверхностных состояний GaAs нитевидных нанокристаллов, синтезированных с помощью молекулярно-пучковой эпитаксии. Исследование оптических свойств образцов методом низкотемпературной фотолюминесценции показало, что интенсивность сигнала фотолюминесценции может быть увеличена вплоть до 5 раз при пассивации нитевидных нанокристаллов слоем AlN с толщиной 25 А. |
| Буравлёв, А. Д. | |
| Ключевые слова | нитевидные нанокристаллы |
|
молекулярное наслаивание молекулярно-пучковая эпитаксия фотолюминесценция полупроводниковые соединения |
|
|
Буравлев, А. Д. Самсоненко, Ю. Б. Хребтов, А. И. Сошников, И. П. Резник, Р. Р. Цырлин, Г. Э. Dhaka, V. Perros, A. Lipsanen, H. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 12. - С. 1644-1646 |
|
| Имя макрообъекта | Штром_пассивация |
| Тип документа | b |
