-
Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
Цырлин, Г. Э., Резник, Р. Р., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Котляр, К. П., Илькив, И. В., Сошников, И. П., Кириленко, Д. А., Крыжановская, Н. В.
Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1304-1307
Цырлин_нитевидные
-
Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона
Жуков, А. Е. , Алферов, Ж. И., Цырлин, Г. Э., Резник, Р. Р., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Калитеевский, М. А. , Иванов, К. А., Крыжановская, Н. В., Максимов, М. В.
Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 5. - С. 674-678 .-
Жуков_многослойные
-
Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазy
Штром, И. В., Сибирёв, Н. В., Буравлёв, А. Д., Сибирев, Н. В., Убыйвовк, Е. В., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Резник, Р. Р., Буравлев, А. Д., Цырлин, Г. Э.
Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазy, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 5-9
Штром_нитевидные
-
Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
Цырлин, Г. Э., Буравлёв, А. Д., Штром, И. В., Резник, Р. Р., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Буравлев, А. Д., Сошников, И. П.
Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 11. - С. 1441-1444 .-
Цырлин_гибридные
-
Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN
Штром, И. В., Буравлёв, А. Д., Буравлев, А. Д., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Сошников, И. П., Резник, Р. Р., Цырлин, Г. Э., Perros, A., Lipsanen, H.
Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 12. - С. 1644-1646
Штром_пассивация
