-
Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом
Сибирев, Н. В., Сибирёв, Н. В., Буравлёв, А. Д., Котляр, К. П., Штром, И. В., Убыйвовк, Е. В., Сошников, И. П., Резник, Р. Р., Буравлев, А. Д., Цырлин, Г. Э.
Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 12. - С. 1464-1468 .-
Сибирев_солнечный
-
Фотодинамика люминесценции гибридных наноструктур InP/InAsP/InP ННК, пассивированных слоем ТОРО-CdSe/ZnS КТ
Хребтов, А. И., Кулагина, А. С., Данилов, В. В., Громова, Е. С., Скурлов, И. Д., Литвин, А .П., Резник, Р. Р., Штром, И. В., Цырлин, Г. Э.
Фотодинамика люминесценции гибридных наноструктур InP/InAsP/InP ННК, пассивированных слоем ТОРО-CdSe/ZnS КТ, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2020 .-
Т. 54, вып. 9. - С. 952-957 .-
Хребтов_фотодинамика
-
Оптические свойства теллурида цинка с субмонослоями теллурида кадмия
Агекян, В. Ф., Серов, А. Ю., Философов, Н. Г., Штром, И. В., Karczewski, G.
Оптические свойства теллурида цинка с субмонослоями теллурида кадмия, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 10. - С. 2034-2037 .-
Агекян_оптические
-
Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A{III}B{V} нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111)
Резник, Р. Р., Котляр, К. П., Штром, И. В., Сошников, И. П., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Цырлин, Г. Э.
Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A{III}B{V} нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111), [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1525-1529
Резник_синтез
-
Автокаталитический синтез нитевидных нанокристаллов CdTe методом магнетронного осаждения
Сошников, И. П., Семенов, А. А., Белявский, П. Ю., Штром, И. В., Котляр, К. П., Лисак, В. В., Кудряшов, Д. А., Павлов, С. И., Нащекин, А. В., Цырлин, Г. Э.
Автокаталитический синтез нитевидных нанокристаллов CdTe методом магнетронного осаждения, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика твердого тела .-
2016 .-
Т. 58, вып. 12. - С. 2314-2318 .-
Сошников_автокаталитический
-
Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
Мизеров, А. М., Буравлёв, А. Д., Тимошнев, С. Н. , Соболев, М. C., Никитина, Е. В., Шубина, К. Ю., Березовская, Т. Н., Штром, И. В., Буравлев, А. Д.
Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота, [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1425-1429
Мизеров_особенности
-
Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазy
Штром, И. В., Сибирёв, Н. В., Буравлёв, А. Д., Сибирев, Н. В., Убыйвовк, Е. В., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Резник, Р. Р., Буравлев, А. Д., Цырлин, Г. Э.
Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазy, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 5-9
Штром_нитевидные
-
Нелинейное просветление InAs нитевидных нанокристаллов в видимом диапазоне
Кулагина, А. С., Хребтов, А. И., Рыжов, А. А., Данилов, В. В., Штром, И. В., Котляр, К. П., Алексеев, П. А., Смирнов, А. Н., Резник, Р. Р., Цырлин, Г. Э.
Нелинейное просветление InAs нитевидных нанокристаллов в видимом диапазоне, [Электронный ресурс]
ил.
Оптика и спектроскопия, 2020, Т. 128, вып. 1. - С. 128-133
Кулагина_нелинейное
-
Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
Цырлин, Г. Э., Буравлёв, А. Д., Штром, И. В., Резник, Р. Р., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Буравлев, А. Д., Сошников, И. П.
Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 11. - С. 1441-1444 .-
Цырлин_гибридные
-
Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN
Штром, И. В., Буравлёв, А. Д., Буравлев, А. Д., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Сошников, И. П., Резник, Р. Р., Цырлин, Г. Э., Perros, A., Lipsanen, H.
Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 12. - С. 1644-1646
Штром_пассивация
