Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота - Статьи - Базы данных - БГТУ

Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

Авторы: Мизеров, А. М. Буравлёв, А. Д. Тимошнев, С. Н. Соболев, М. C. Никитина, Е. В. Шубина, К. Ю. Березовская, Т. Н. Штром, И. В. Буравлев, А. Д.

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
	Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота Электронный ресурс
Аннотация	Представлены результаты исследований влияния на кинетику роста и полярность слоев GaN/Si(111) начальных условий при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота - условий нитридизации подложки Si(111), температуры роста GaN, стехиометрических условий роста GaN. Экспериментально установлено, что оптимальными начальными условиями эпитаксии GaN на подложках Si(111) является высокотемпературная нитридизация подложки Si(111), проводимая непосредственно перед ростом GaN. Показана возможность управления полярностью GaN за счет соответствующего выбора роста в условиях с N- или Ga-обогащением на начальной стадии эпитаксии GaN/Si(111).
Ключевые слова	молекулярно-пучковая эпитаксия
	Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 12. - С. 1425-1429
Имя макрообъекта	Мизеров_особенности