| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690911948 |
| Дата корректировки | 16:07:57 22 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.12.46751.30 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Мизеров, А. М. | |
|
Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота Электронный ресурс |
|
| Peculiarities of the initial stages of GaN growth on Si(111) substrates by plasma assisted molecular-beam epitaxy | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | цв. ил. |
| Библиография | Библиогр.: 13 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты исследований влияния на кинетику роста и полярность слоев GaN/Si(111) начальных условий при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота - условий нитридизации подложки Si(111), температуры роста GaN, стехиометрических условий роста GaN. Экспериментально установлено, что оптимальными начальными условиями эпитаксии GaN на подложках Si(111) является высокотемпературная нитридизация подложки Si(111), проводимая непосредственно перед ростом GaN. Показана возможность управления полярностью GaN за счет соответствующего выбора роста в условиях с N- или Ga-обогащением на начальной стадии эпитаксии GaN/Si(111). |
| Буравлёв, А. Д. | |
| Ключевые слова | молекулярно-пучковая эпитаксия |
|
плазменная активация азота нитрид галлия подложки Si(111) кремний нитридизация подложек |
|
|
Тимошнев, С. Н. Соболев, М. C. Никитина, Е. В. Шубина, К. Ю. Березовская, Т. Н. Штром, И. В. Буравлев, А. Д. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 12. - С. 1425-1429 |
|
| Имя макрообъекта | Мизеров_особенности |
| Тип документа | b |
