Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Тимошнев, С. Н.

Статьи. Автор - Тимошнев, С. Н.

• Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)
  Кукушкин, С. А., Буравлёв, А. Д., Мизеров, А. М., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Никитина, Е. В., Тимошнев, С. Н. , Буравлев, А. Д.
  
  Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111), [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 2. - С. 190-198 Кукушкин_фотоэлектрические
• Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3C-SiC(111)
  Бенеманская, Г. В., Дементьев, П. А., Кукушкин, С. А., Лапушкин, М.Н., Сеньковский, Б. В., Тимошнев, С. Н.
  
  Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3C-SiC(111), [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 4. - С. 465-469 .- Бенеманская_индуцированные
• Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si
  Мизеров, А. М., Кукушкин, С. А., Шарофидинов, Ш. Ш., Осипов, А. В., Тимошнев, С. Н. , Шубина, К. Ю., Березовская, Т. Н., Мохов, Д. В., Буравлев, А. Д.
  
  Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 12. - С. 2289-2293 .- Мизеров_метод
• Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
  Тимошнев, С. Н. , Мизеров, А. М., Бенеманская, Г. В., Кукушкин, С. А., Буравлев, А. Д.
  
  Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 12. - С. 2294-2297 .- Тимошнев_фотоэмиссионные
• Электронная структура молибдена, окисленного на воздухе
  Дементьев, П. А., Иванова, Е. В., Лапушкин, М. Н., Смирнов, Д. А., Тимошнев, С. Н.
  
  Электронная структура молибдена, окисленного на воздухе, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 11. - С. 2024-2029 .- Дементьев_электронная структура
• Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
  Мизеров, А. М., Буравлёв, А. Д., Тимошнев, С. Н. , Соболев, М. C., Никитина, Е. В., Шубина, К. Ю., Березовская, Т. Н., Штром, И. В., Буравлев, А. Д.
  
  Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота, [Электронный ресурс] цв. ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1425-1429 Мизеров_особенности
• Влияние адсорбции атомов натрия и прогрева на наночастицы золота, адсорбированные на вольфраме
  Дементьев, П. А., Иванова, Е. В., Лапушкин, М. Н., Cмирнов, Д. А., Тимошнев, С. Н.
  
  Влияние адсорбции атомов натрия и прогрева на наночастицы золота, адсорбированные на вольфраме, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2020 .- Т. 62, вып. 8. - С. 1171-1178 .- Дементьев_влияние
• Электронная структура ультратонкой пленки окисла молибдена
  Дементьев, П. А., Иванова, Е. В., Лапушкин, М. Н., Смирнов, Д. А., Тимошнев, С. Н.
  
  Электронная структура ультратонкой пленки окисла молибдена, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2020 .- Т. 62, вып. 10. - С. 1618-1626 .- Дементьев_электронная
• Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/por-Si/c-Si
  Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Худяков, Ю. Ю., Мизеров, А. М., Тимошнев, С. Н. , Арсентьев, И. Н., Бельтюков, А. Н., Leiste, Harald
  
  Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/por-Si/c-Si, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 5. - С. 491-503 Середин_влияние
• Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/por-Si/Si(111)
  Середин, П. В., Голощапов, Д. Л., Золотухин, Д. С., Леньшин, А. С., Тимошнев, С. Н. , Никитина, Е. В., Арсентьев, И. Н., Кукушкин, С. А.
  
  Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/por-Si/Si(111), [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 346-354 Середин_оптические