Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)

Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)

Авторы: Кукушкин, С. А. Буравлёв, А. Д. Мизеров, А. М. Гращенко, А. С. Осипов, А. В. Никитина, Е. В. Тимошнев, С. Н. Буравлев, А. Д.