| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695490749 |
| Дата корректировки | 16:20:27 14 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.02.47097.8915 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Кукушкин, С. А. | |
|
Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111) Электронный ресурс |
|
| The photoelectric properties of the GaN layers grown by the PA MBE on Si(111) substrates and SiC/Si(111) epitaxial layers | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 27 назв. |
| Аннотация | Приведены результаты экспериментальных исследований фотоэлектрических свойств гетероструктур GaN/SiC/Si(111) и GaN/Si(111), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота при одинаковых условиях роста на одинаковых подложках кремния, но с различными буферными слоями. Структура GaN/SiC/Si(111) была выращена на подложке Si с буферным слоем SiC, выращенным новым методом замещения атомов, структура GaN/Si(111) на подложке Si, подвергнутой предэпитаксиальной плазменной нитридизации. Обнаружено существенное влияние углеродно-вакансионных кластеров, присутствующих в слое SiC, на механизм роста слоя GaN, его оптические и фотоэлектрические свойства. Экспериментально установлено, что гетероструктура GaN/SiC/Si(111) обладает более высокой фоточувствительностью по сравнению с гетероструктурой GaN/Si(111). В гетероструктуре GaN/SiC/Si(111) экспериментально обнаружено существование двух, противоположно направленных p-n-переходов. Один p-n-переход образуется на границе SiC/Si, а второй - на границе GaN/SiC. Показано, что причиной возникновения электрического барьера в гетероструктуре GaN/Si(111), на гетерогранице GaN/Si(111) является формирование тонкого переходного слоя нитрида кремния во время предэпитаксиальной плазменной нитридизации подложки Si(111). |
| Буравлёв, А. Д. | |
| Ключевые слова | нитрид галлия |
|
молекулярно-лучевая эпитаксия плазменная активация гетероструктуры углеродно-вакасионные кластеры гексагональные политипы |
|
|
Мизеров, А. М. Гращенко, А. С. Осипов, А. В. Никитина, Е. В. Тимошнев, С. Н. Буравлев, А. Д. Соболев, М. С. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 2. - С. 190-198 |
|
| Имя макрообъекта | Кукушкин_фотоэлектрические |
| Тип документа | b |
