Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Гращенко, А. С.

Статьи. Автор - Гращенко, А. С.

• Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок бета-Ga[2]O[3], синтезированных на подложках SiC/Si
  Гращенко, А. С., Кукушкин, С. А., Николаев, В. И., Осипов, А. В., Осипова, Е. В., Сошников, И. П.
  
  Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок бета-Ga[2]O[3], синтезированных на подложках SiC/Si, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2018 .- Т. 60, вып. 5. - С. 851-856 .- Гращенко_исследование анизотропных
• Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)
  Кукушкин, С. А., Буравлёв, А. Д., Мизеров, А. М., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Никитина, Е. В., Тимошнев, С. Н. , Буравлев, А. Д.
  
  Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111), [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 2. - С. 190-198 Кукушкин_фотоэлектрические
• Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния-кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния
  Гращенко, А. С., Феоктистов, Н. А., Осипов, А. В., Калинина, Е. В., Кукушкин, С. А.
  
  Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния-кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 5. - С. 651-658 Гращенко_фотоэлектрические
• Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов
  Гращенко, А. С., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В.
  
  Исследование упругих свойств пленок SiC, синтезированных на подложках Si методом замещения атомов, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 12. - С. 2313-2315 .- Гращенко_исследование
• Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов
  Редьков, А. В., Гращенко, А. С., Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., Котляр, К. П., Лихачев, А. И., Нащекин, А. В., Сошников, И. П.
  
  Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 3. - С. 433-440 .- Редьков_эволюция