Поиск

Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота

Авторы: Тимошнев, С. Н. Мизеров, А. М. Бенеманская, Г. В. Кукушкин, С. А. Буравлев, А. Д.
Подробная информация
Индекс УДК 539.21
Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
Электронный ресурс
Ключевые слова пленки
Другие авторы Мизеров, А. М.
Название источника Физика твердого тела
Место и дата издания 2019
Прочая информация Т. 61, вып. 12. - С. 2294-2297
Имя макрообъекта Тимошнев_фотоэмиссионные