| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/681814151 |
| Дата корректировки | 9:10:34 9 августа 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2019.12.48536.15ks | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Тимошнев, С. Н. | |
|
Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 17 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты экспериментальных исследований электронных и фотоэмиссионных свойств эпитаксиального слоя GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложке SiC/Si(111). Электронная структура поверхности GaN и ультратонкого интерфейса Li/GaN была впервые исследована in situ в условиях сверхвысокого вакуума при различных покрытиях Li. Эксперименты проводились с использованием фотоэлектронной спектроскопии при синхротронном излучении в диапазоне энергий фотонов 75-850 eV. Спектры фотоэмиссии в области валентной зоны и поверхностных состояний и спектры фотоэмиссии из остовных уровней N 1s, Ga 3d, Li 2s были изучены при различных субмонослойных покрытиях Li. Установлено, что адсорбция Li вызывает существенные изменения в общем виде спектров, вызванные переносом заряда между слоем Li и нижними слоями N и Ga. Установлено, что поверхность GaN имеет преимущественно N-полярность. Показан полупроводниковый характер интерфейса Li/GaN. |
| Ключевые слова | пленки |
|
пленочные слои нитрид галлия карбид кремния кремний литий электронная структура структура валентной зоны молекулярно-пучковая эпитаксия плазменная активация азота гибридные подложки фотоэмиссионные свойства фотоэлектронная спектроскопия |
|
| Другие авторы | Мизеров, А. М. |
|
Бенеманская, Г. В. Кукушкин, С. А. Буравлев, А. Д. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 61, вып. 12. - С. 2294-2297 |
| Имя макрообъекта | Тимошнев_фотоэмиссионные |
| Тип документа | b |
