Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Березовская, Т. Н.

Статьи. Автор - Березовская, Т. Н.

• Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si
  Мизеров, А. М., Кукушкин, С. А., Шарофидинов, Ш. Ш., Осипов, А. В., Тимошнев, С. Н. , Шубина, К. Ю., Березовская, Т. Н., Мохов, Д. В., Буравлев, А. Д.
  
  Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si, [Электронный ресурс] ил. // Физика твердого тела .- 2019 .- Т. 61, вып. 12. - С. 2289-2293 .- Мизеров_метод
• Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
  Мизеров, А. М., Буравлёв, А. Д., Тимошнев, С. Н. , Соболев, М. C., Никитина, Е. В., Шубина, К. Ю., Березовская, Т. Н., Штром, И. В., Буравлев, А. Д.
  
  Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота, [Электронный ресурс] цв. ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1425-1429 Мизеров_особенности