| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A{III}B{V} нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111) Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Впервые продемонстрирована принципиальная возможность роста A{III}B{V} соединений на примере GaAs, AlGaAs и InAs нитевидных нанокристаллов на кремниевой подложке с нанометровым буферным слоем карбида кремния. Диаметр нитевидных нанокристаллов такого же состава оказался меньше, чем у подобных нанокристаллов, выращенных на кремниевой подложке. В частности, для InAs нитевидных нанокристаллов минимальный диаметр оказался менее 10 нм. Помимо этого, основываясь на спектре фотолюминесценции, было предположено, что, в случае роста AlGaAs нитевидных нанокристаллов на таких подложках, возникает сложная структура, благодаря самоорганизованному образованиюв нитевидных нанокристаллах областей разного состава по алюминию. |
| Ключевые слова | нитевидные нанокристаллы |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 11. - С. 1525-1529 |
|
| Имя макрообъекта | Резник_синтез |
