| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686842197 |
| Дата корректировки | 13:34:17 6 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.11.45104.18 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Резник, Р. Р. | |
|
Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии A{III}B{V} нитевидных нанокристаллов ультра малого диаметра на сильно рассогласованной подложке SiC/Si(111) Электронный ресурс |
|
| MBE growth of ultrathin A{III}B{V}nanowires on highly mismatched SiC/Si(111) substrate | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 25 назв. |
| Аннотация | Впервые продемонстрирована принципиальная возможность роста A{III}B{V} соединений на примере GaAs, AlGaAs и InAs нитевидных нанокристаллов на кремниевой подложке с нанометровым буферным слоем карбида кремния. Диаметр нитевидных нанокристаллов такого же состава оказался меньше, чем у подобных нанокристаллов, выращенных на кремниевой подложке. В частности, для InAs нитевидных нанокристаллов минимальный диаметр оказался менее 10 нм. Помимо этого, основываясь на спектре фотолюминесценции, было предположено, что, в случае роста AlGaAs нитевидных нанокристаллов на таких подложках, возникает сложная структура, благодаря самоорганизованному образованиюв нитевидных нанокристаллах областей разного состава по алюминию. |
| Ключевые слова | нитевидные нанокристаллы |
|
кремниевая подложка карбид кремния молекулярно-пучковая эпитаксия нановискеры |
|
|
Котляр, К. П. Штром, И. В. Сошников, И. П. Кукушкин, С. А. Осипов, А. В. Цырлин, Г. Э. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 11. - С. 1525-1529 |
|
| Имя макрообъекта | Резник_синтез |
| Тип документа | b |
