| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Коррекция характеристик кремниевых фотодиодов путем применения ионной имплантации Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Рассмотрены результаты измерений электрофизических параметров кремниевых pin-фотодиодов после имплантации дефектообразующих ионов и последующей термической обработки, которые открывают новый способ уменьшения темнового тока и увеличения выхода годных приборов. Данные электрофизических измерений сопоставлены с результатами структурных исследований. Экспериментально установлена эффективность облучения протонами периферии n[+]-p-переходов для защиты поверхности pin-фотодиодов на основе высокоомного кремния. Определены оптимальные условия - режимы облучения протонами и последующего термического отжига (энергии E = 100 + 200 + 300 кэВ, доза D = 2 · 10{16} см{-2}, температура T = 300°C, время t = 2 ч), при которых происходит формирование поверхностного слоя с оптимальными для достижения минимальных темновых токов фоточувствительных площадок и охранного кольца характеристиками. Применение этих режимов к серийным pin-фотодиодам с глубиной залегания n{+}-p-переходов ~ 3 мкм позволило снизить темновой ток на порядок величины и повысить выход годных приборов. |
| Ключевые слова | кремниевые фотодиоды |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 6. - С. 557-563 |
|
| Имя макрообъекта | Асадчиков_коррекция |
