| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676028070 |
| Дата корректировки | 9:41:35 3 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.06.49385.9347 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Асадчиков, В. Е. | |
|
Коррекция характеристик кремниевых фотодиодов путем применения ионной имплантации Электронный ресурс |
|
| Correction of silicon photodiodes characteristics by applying ion implantation | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 17 назв. |
| Аннотация | Рассмотрены результаты измерений электрофизических параметров кремниевых pin-фотодиодов после имплантации дефектообразующих ионов и последующей термической обработки, которые открывают новый способ уменьшения темнового тока и увеличения выхода годных приборов. Данные электрофизических измерений сопоставлены с результатами структурных исследований. Экспериментально установлена эффективность облучения протонами периферии n[+]-p-переходов для защиты поверхности pin-фотодиодов на основе высокоомного кремния. Определены оптимальные условия - режимы облучения протонами и последующего термического отжига (энергии E = 100 + 200 + 300 кэВ, доза D = 2 · 10{16} см{-2}, температура T = 300°C, время t = 2 ч), при которых происходит формирование поверхностного слоя с оптимальными для достижения минимальных темновых токов фоточувствительных площадок и охранного кольца характеристиками. Применение этих режимов к серийным pin-фотодиодам с глубиной залегания n{+}-p-переходов ~ 3 мкм позволило снизить темновой ток на порядок величины и повысить выход годных приборов. |
| Ключевые слова | кремниевые фотодиоды |
|
фотодиоды pin-фотодиоды ионная имплантация имплантация протонов термический отжиг радиационные дефекты темновой ток кремний |
|
|
Дьячкова, И. Г. Золотов, Д. А. Чуховский, Ф. Н. Никитина, Е. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 6. - С. 557-563 |
|
| Имя макрообъекта | Асадчиков_коррекция |
| Тип документа | b |
