|
Аннотация
|
Структуры с наночастицами (квантовыми точками) Ge/Si в матрице оксида алюминия интересны для исследователей благодаря сочетанию двух основных полупроводников, а также использованию матрицы с высокой диэлектрической проницаемостью и сильной связью кислорода с металлом. В работе изготовлены многослойные нанопериодические структуры в последовательности подложка/Al[2]O[3]/Ge/Si/Al[2]O[3] . . .Al[2]O[3] (период — Al[2]O[3]/Ge/Si, число периодов - до 20), которые затем отжигались при разных температурах. Показано, что после отжига в структурах наблюдаются кристаллические частицы и Ge, и Si, размеры и количество которых определяются толщиной напыленных слоев и температурой отжига. Полученные различными оптическими методиками результаты свидетельствуют о квантово-размерном эффекте в структурах, что подтверждено микроскопией высокого разрешения. |
