Поиск

Квантовые точки ”ядро–оболочка“ Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства

Авторы: Сресели, О. М. Лихачёв, А. И. Неведомский, В. Н. Лихачев, А. И. Яссиевич, И. Н. Ершов, А. В. Нежданов, А. В. Машин, А. И. Андреев, Б. А. Яблонский, А. Н.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/675615466
Дата корректировки 16:00:40 29 мая 2021 г.
Стандартный номер 10.21883/FTP.2020.02.48892.9264
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Автор Сресели, О. М.
Заглавие Квантовые точки ”ядро–оболочка“ Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
Физич. носитель Электронный ресурс
Ge/Si core/shell quantum dots in alumina: influence of annealing conditions on the optical properties
Иллюстрации/ тип воспроизводства цв. ил., табл.
Библиография Библиогр.: 33 назв.
Аннотация Структуры с наночастицами (квантовыми точками) Ge/Si в матрице оксида алюминия интересны для исследователей благодаря сочетанию двух основных полупроводников, а также использованию матрицы с высокой диэлектрической проницаемостью и сильной связью кислорода с металлом. В работе изготовлены многослойные нанопериодические структуры в последовательности подложка/Al[2]O[3]/Ge/Si/Al[2]O[3] . . .Al[2]O[3] (период — Al[2]O[3]/Ge/Si, число периодов - до 20), которые затем отжигались при разных температурах. Показано, что после отжига в структурах наблюдаются кристаллические частицы и Ge, и Si, размеры и количество которых определяются толщиной напыленных слоев и температурой отжига. Полученные различными оптическими методиками результаты свидетельствуют о квантово-размерном эффекте в структурах, что подтверждено микроскопией высокого разрешения.
Служебное примечание Лихачёв, А. И.
Ключевые слова квантовые точки
оксид алюминия
многослойные наноструктуры
диэлектрическая проницаемость
кристаллические частицы
полупроводники
Другие авторы Берт, Н. А.
Неведомский, В. Н.
Лихачев, А. И.
Яссиевич, И. Н.
Ершов, А. В.
Нежданов, А. В.
Машин, А. И.
Андреев, Б. А.
Яблонский, А. Н.
Название источника Физика и техника полупроводников
Место и дата издания 2020
Прочая информация Т. 54, вып. 2. - С. 129-137
Имя макрообъекта Сресели_квантовые
Тип документа b